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SC803 大电流 P 沟 VDMOS 管

应用范围

可广泛应用于雷达、通讯、仪器、仪表等功率领域。

产品描述

SC803 大电流 P VDMOS 管是采用 VDMOS 工艺制造的单片集成电路,SC803 P   VDMOS  功放管漏源击穿电压 BVDS-55V,导通电阻≤60mΩ,峰值电流≥15A,导通延迟时间≤50ns,关断延迟时间≤280ns,上升时间≤50ns,下降时间≤150ns。可广泛用于相控阵雷达天线系统铁氧体相器驱动电路中。采用单层金属VDMOS工艺制造,键合区金属层为铝。芯片尺寸:4.78mm×3.53mm×(0.25~0.3)mm

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