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应用范围
可广泛应用于雷达、通讯、仪器、仪表等功率领域。
产品描述
SC803 大电流 P 沟 VDMOS 管是采用 VDMOS 工艺制造的单片集成电路,SC803 型P 沟 VDMOS 功放管漏源击穿电压 BVDS≤-55V,导通电阻≤60mΩ,峰值电流≥15A,导通延迟时间≤50ns,关断延迟时间≤280ns,上升时间≤50ns,下降时间≤150ns。可广泛用于相控阵雷达天线系统铁氧体相器驱动电路中。采用单层金属VDMOS工艺制造,键合区金属层为铝。芯片尺寸:4.78mm×3.53mm×(0.25~0.3)mm。 |
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